首發(fā)6nm RF制程、美國晶圓廠已開工，臺積電線上技術(shù)論壇透露了哪些重要信息？

今（2）日，臺積電線上技術(shù)論壇登場，會中揭示先進(jìn)邏輯技術(shù)、特殊技術(shù)、以及3DFabric先進(jìn)封裝與芯片堆棧技術(shù)的最新創(chuàng)新成果。那么臺積電都透露了哪些重要信息？

臺積電的晶圓代工技術(shù)一直走在業(yè)界前列，今日臺積電首次發(fā)表6納米RF（N6RF）制程，將先進(jìn)的6納米邏輯制程所具備的功耗、效能、面積優(yōu)勢帶入到5G射頻（RF）與WiFi 6/6e解決方案。據(jù)介紹相較于前一世代的16納米射頻技術(shù)，N6RF晶體管的效能提升超過16%。

臺積電表示，N6RF制程針對6GHz以下及毫米波頻段的5G射頻收發(fā)器提供大幅降低的功耗與面積，同時兼顧消費者所需的效能、功能與電池壽命，亦將強(qiáng)化支援WiFi 6/6e的效能與功耗效率。

5nm制程技術(shù)于2020年領(lǐng)先業(yè)界量產(chǎn)，目前已超過50萬片。臺積電指出，因應(yīng)客戶強(qiáng)勁需求，2023年包括4nm的5nm系列制程產(chǎn)能將會比2020年大幅成長超過4倍。

4nm制程技術(shù)的開發(fā)進(jìn)度相當(dāng)順利，預(yù)計于2021年第3季開始試產(chǎn)，較原先規(guī)劃于2021年第4季試產(chǎn)提早了一季時間。臺積電先進(jìn)技術(shù)業(yè)務(wù)開發(fā)處長袁立本指出，中低端手機(jī)、消費電子產(chǎn)品、手機(jī)基站和聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品需要考慮成本，因此這類產(chǎn)品采用最先進(jìn)制程技術(shù)的時間會稍有延遲。目前多數(shù)產(chǎn)品采用16/12nm并正向6nm邁進(jìn)，相信到2023年這類產(chǎn)品采用的主流技術(shù)會是4nm。

3nm制程技術(shù)將依原訂計劃于2022年下半年量產(chǎn)，屆時將成為全球最先進(jìn)的邏輯技術(shù)。相較于5納米制程技術(shù)，3納米制程速度增快15%，功耗降低達(dá)30%，邏輯密度增加達(dá)70%。

另外，臺積電還將在新竹興建新晶圓廠，作為2nm生產(chǎn)基地，目前正在進(jìn)行土地取得程序。

與此同時，臺積電持續(xù)推動先進(jìn)封裝，計劃在2022年在先進(jìn)封裝將達(dá)到五座廠生產(chǎn)。臺積已將相關(guān)技術(shù)整合為“3DFabric”平臺，納入所有 3D 先進(jìn)封裝技術(shù)包含整合型扇出（InFO）家族、CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）等實現(xiàn)芯片堆疊解決方案如SoIC。

早于去年底就有消息傳出，臺積電將于美國亞利桑那州鳳凰城興建晶圓廠，今日臺積電總裁魏哲家提到，公司斥資 120 億美元在亞利桑那州建造 12 英寸晶圓廠，現(xiàn)階段已經(jīng)開工，工程正順利進(jìn)行。

另外，臺積電運營組織資深副總經(jīng)理秦永沛也指出，美國廠位于亞歷桑納州鳳凰城機(jī)場的北邊，第1期正在興建中，預(yù)計2024年采用5nm量產(chǎn)芯片，月產(chǎn)能2萬片。根據(jù)其在現(xiàn)場播放的影片，臺積電美國廠面積達(dá)1100英畝（等于約445公頃），超過其臺灣廠區(qū)面積總和，較臺灣省新竹科學(xué)園大出一半面積以上。

（木棉）