帶寬突破10GB/s大關(guān) AORUS DDR5 6200內(nèi)存套裝上手體驗

歡樂頌歌曲

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帶寬突破10GB/s大關(guān) AORUS DDR5 6200內(nèi)存套裝上手體驗

Intel第12代酷睿處理器不僅帶來了性能和能效比上的巨大提升，同時也帶來了DDR5內(nèi)存和PCIe5.0這樣的新特性。PCIe5.0距離各位玩家可能尚還有些遙遠(yuǎn)，而DDR5內(nèi)存則已經(jīng)伴隨新平臺上市，那么它除了提供更高的頻率和帶寬之外，還有哪些新的提升呢？

規(guī)格全面革新，支持新一代XMP3.0規(guī)范

整體來看，DDR5的電源管理已經(jīng)從主板移到了內(nèi)存模組本身，主板只需為內(nèi)存提供5V的供電，內(nèi)存模組自帶的P-MIC電源管理芯片負(fù)責(zé)將其轉(zhuǎn)換為內(nèi)存各個組件所需的電壓。DDR5的默認(rèn)電壓降為了更低的1.1V，VDD SPD電壓也從2.5V降至了1.8V。整體的供電設(shè)計方面也有了一定的區(qū)別，從功耗來看DDR5更加節(jié)能，功耗更小。

DDR5內(nèi)存的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的起步就已經(jīng)達(dá)到了4800MT/s，最大數(shù)據(jù)速率從DDR4的3.2Gbps翻倍到6.4Gbps，提升非常明顯，這將為那些需要更大內(nèi)存帶寬的應(yīng)用提供更好的性能表現(xiàn)。 同時容量方面DDR5最高可以做到單顆顆粒64Gb（8GB），單條內(nèi)存可以達(dá)到128GB（雙面）的容量，對于工作站和服務(wù)器用戶來說是一個比較有用提升點。

工作模式上DDR5和DDR4也有所區(qū)別，DDR4是一整個內(nèi)存模組8個顆粒使用64bit（+8bit ECC）的總線通道，突發(fā)長度（Burst Length）為8，而DDR5則是每4顆顆粒一組使用獨立的32bit（+8bit ECC）總線通道，突發(fā)長度為16。DDR4內(nèi)存一次操作可以提交64 bit%uD78=64byte數(shù)據(jù)，而DDR5一次操作可以提交（32bit?=64byte）+（32bit?=64byte）數(shù)據(jù)，有效帶寬實現(xiàn)了翻倍。

作為高頻高容量的內(nèi)存模組，DDR5還加入On Die ECC，避免訪問時可能出現(xiàn)的數(shù)據(jù)錯誤。不過On Die ECC本身不具備糾錯能力，它只能檢測出錯誤地址并提交給控制器處理，從保證數(shù)據(jù)完整性。

Intel第12代酷睿率先提供了DDR5內(nèi)存的支持，能夠原生支持DDR5 4800內(nèi)存，同時各大品牌的Z690主板也提供了對更高頻率的DDR5內(nèi)存的支持（OC），大多數(shù)旗艦Z690主板則可以支持到DDR5 6400+（OC）。

另外，Intel XMP標(biāo)準(zhǔn)也升級到了XMP3.0，內(nèi)存SPD中增加了兩個可供玩家覆寫的配置文檔，為玩家提供了更多的DIY樂趣。同時還支持動態(tài)頻率加速技術(shù)，低載下保持JEDEC默認(rèn)頻率，高載下加速到XMP頻率，超頻控制更加靈活。

升級SMD貼片工藝，超級雕Z690內(nèi)存DIMM插槽解析

超級雕Z690 AORUS MASTER堆料水平甚至趕超了上代大雕，旗艦氣質(zhì)顯露無疑

19+1+2相直出式數(shù)字供電，配備105A MOSFET，供電能力強(qiáng)到夸張

超級雕Z690 AORUS MASTER供電大幅升級，采用了19相CPU供電+1相核顯供電+2相PCIe/Memory控制器供電的組合，并配備了最高105A標(biāo)準(zhǔn)的MOSFET，相比上代旗艦普遍90A的標(biāo)準(zhǔn)又有了明顯的提升。

SMD貼片工藝內(nèi)存插槽外加合金裝甲屏蔽罩，減少信號干擾，更容易達(dá)到更高內(nèi)存頻率

超級雕Z690 AORUS MASTER的PCIe 5.0?顯卡插槽和DDR5內(nèi)存插槽除了加裝合金屏蔽罩之外還采用了SMD貼片工藝，去掉了與PCB連接的針腳之后，確實可以大大提升抵抗電氣干擾的能力，充分保證高頻DDR5內(nèi)存與未來PCIe 5.0顯卡高速運行的穩(wěn)定性。不過，大家并不用擔(dān)心插槽采用SMD貼片工藝后會影響其抗物理拉扯的強(qiáng)度，因為其配備的合金屏蔽罩還特地增加了SMD“鐵爪”進(jìn)行加固，同時合金屏蔽罩還讓主板PCB板這一區(qū)域的抗彎曲能力大幅加強(qiáng)。此外，超級雕Z690 AORUS MASTER本身就配備了8層2盎司銅PCB板，抗干擾與抗彎曲的能力十分優(yōu)秀。

新一代的DDR5內(nèi)存采用了自帶PMIC供電芯片的設(shè)計，而超級雕Z690 AORUS MASTER則將DDR5 PMIC供電芯片的安全模式解鎖為可編程模式，從而實現(xiàn)對DDR5電壓實現(xiàn)更寬幅的原生調(diào)節(jié)，這就意味著，超級雕Z690 AORUS MASTER的DDR5超頻能力變得更加強(qiáng)大，配合超級雕Z690 AORUS MASTER在BIOS中預(yù)設(shè)的多款DDR5內(nèi)存XMP方案（支持在線共享內(nèi)存參數(shù)與設(shè)定頻率與時序后進(jìn)行性能模擬），發(fā)燒玩家可以輕松壓榨出手中DDR5內(nèi)存的終極潛力。

預(yù)設(shè)6400MHz高頻 AORUS DDR5 6200內(nèi)存套裝解析

本次測試使用的是AORUS DDR5 6200 16GB%uD72套裝。套裝內(nèi)包含兩條16GB DDR5 6200內(nèi)存，方便玩家組成32GB雙通道模式。該內(nèi)存采用綠色PCB打造，外面裝有精致的散熱裝甲，磨砂質(zhì)感的黑色表面和槍灰色的頂部裝飾條搭配看起來比較有高級感。在散熱裝甲上印有超級雕的裝飾和斜切紋路，讓內(nèi)存顯得更具有動感，同時和AORUS超級雕主板的風(fēng)格也更加契合。

作為一款追求高頻性能的DDR5內(nèi)存，AORUS DDR5 6200 16GB%uD72套裝沒有搭載RGB燈光設(shè)計，對于不喜歡光污染的玩家來說是一個比較不錯的選擇。

頻率方面，該內(nèi)存默認(rèn)為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)4800MHz頻率，時序為42-39-39-77，電壓為1.1V。它支持XMP3.0標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)置了3組XMP配置文件。在首發(fā)測試時我們可以看到其兩組配置，最近超級雕Z690 AORUS MASTER在第12代酷睿正式發(fā)布后，新版的BIOS可以讀取到全部三組配置，其中包括兩組XMP-6200配置文件和一組XMP-6400配置文件，分別為6200MHz@40-40-40-80/1.35V、6200MHz@38-38-38-76@1.5V和6400MHz@42-42-42-84/1.45V。

帶寬突破10GB/s，DDR5生產(chǎn)力更有優(yōu)勢

測試平臺

處理器：Intel酷睿i9 12900K

內(nèi)存：AORUS DDR5 6200 16GB%uD72

主板：超級雕Z690 AORUS MASTER

顯卡：魔鷹RTX 3090 GAMING OC 24G

硬盤：AORUS金雕Gen4 1TB

電源：AORUS鉑金雕1200W

操作系統(tǒng)：Windows 11 專業(yè)版 21H2

我們引入了主流的DDR4 3600內(nèi)存作為對比，其時序為16-18-18-36。同時為了具體查看高頻DDR5帶來的性能提升，基準(zhǔn)測試中還加入了當(dāng)下上市初期主流DDR5 5200內(nèi)存的對比數(shù)據(jù)。

在XMP配置中選擇6200MHz頻率，時序則選擇最常見的40-40-40-80，實際上很多主流的DDR5 5200內(nèi)存也是使用的這個時序。在AIDA64的內(nèi)存測試中，AORUS DDR5 6200內(nèi)存相對于大家常見的DDR4 3600MHz C16的內(nèi)存來說，讀取性能提升了75%，寫入和拷貝性能則提升了50%以上。相對主流的DDR5 5200內(nèi)存來說，讀取性能提升了35%，寫入和拷貝性能也提升了25%以上。當(dāng)然，因為較高的時序，所以DDR5內(nèi)存的延遲相對于DDR4來說略有提升。但是由于延遲不但和時序相關(guān)，同樣也和頻率相關(guān)，所以我們可以看到，AORUS DDR5 6200@40-40-40-80雖然時序不如對比使用的DDR5 5200 38-40-40-77好，但是后者延遲卻更高一些。

看到壓縮與解壓縮工具軟件對內(nèi)存帶寬的需求比較明顯，在WINRAR基準(zhǔn)測試和7-ZIP基準(zhǔn)測試中，AORUS DDR5 6200內(nèi)存相對于常規(guī)的DDR4來說提升分別在16%和23%左右。提升還是比較明顯的。

時下流行的視頻剪輯與圖片編輯這些生產(chǎn)力應(yīng)用方面，通過PugetBench的基準(zhǔn)測試來看，使用AORUS DDR5 6200內(nèi)存的平臺比DDR4平臺擁有更高的整體得分。更高的內(nèi)存帶寬有助于提升ADOBE全家桶中的表現(xiàn)，對于未來的高端剪輯主機(jī)來說，高頻DDR5應(yīng)該也是必選項目了。

游戲性能測試方面來看，之前很多玩家擔(dān)心DDR5因為延遲過高會影響其在游戲中的表現(xiàn)。從這些游戲的測試情況來看，大部分游戲?qū)ρ舆t的敏感程度其實不如對頻率（帶寬）的需求。具體來看，DDR5內(nèi)存在大多數(shù)游戲中都具有優(yōu)勢，雖然目前在3A游戲中提升不大，但也代表了未來高頻內(nèi)存的一個性能增長趨勢。而在《絕地求生》《銀河破裂者》這樣的電競游戲中，對內(nèi)存帶寬和頻率的需求更為敏感，則表現(xiàn)出了更為明顯的性能優(yōu)勢。隨著系統(tǒng)和游戲的進(jìn)一步優(yōu)化，未來高頻DDR5內(nèi)存勢必將展現(xiàn)出更高的性能表現(xiàn)。

除了上面測試的DDR5 6200@40-40-40-80這種基礎(chǔ)高頻時序，我們也提到了該內(nèi)存還擁有6200MHz@38-38-38-76@1.5V和6400MHz@42-42-42-84/1.45V這兩套XMP配置，分別提供了更好的時序和更高的頻率，那么如果使用這兩個配置又表現(xiàn)如何呢？

由于6400MHz@42-42-42-84/1.45V這套配置的頻率提升有限，而時序則增長較高，我們直接嘗試使用超頻的方式將該內(nèi)存超頻到DDR5 6400@38-38-38-76，并順利的通過了穩(wěn)定性測試，超頻能力表現(xiàn)不錯。在獲得更高頻率的同時也擁有更好的時序，性能表現(xiàn)也更加優(yōu)秀。

從測試來看，隨著時序的調(diào)整，同樣為6200MHz的頻率時，更好的時序也帶來了更強(qiáng)的讀寫性能，而當(dāng)頻率提升到6400MHz時，讀取帶寬可以直接突破10GB大關(guān)，相較于主流頻率DDR4內(nèi)存來說直接翻倍，表現(xiàn)非常強(qiáng)勁。而因為時序的降低、頻率的提升，我們也可以看到6400MHz@38-38-38-76時，延遲已經(jīng)低至了61.2ns，相較于一些時序不太好的DDR4 3600內(nèi)存來說，已經(jīng)非常接近甚至比后者更低了。所以隨著未來DDR5內(nèi)存頻率的持續(xù)拔高，玩家們也不必?fù)?dān)心其時序會帶來過多的負(fù)面影響，反而可以更好的享受高頻率帶來的性能優(yōu)勢。

總結(jié)：高頻率面向未來 發(fā)燒玩家省心選擇

AORUS DDR5 6200 16GB%uD72內(nèi)存套裝擁有精致的散熱裝甲，外觀和超級雕系列主板非常匹配。特挑的顆粒讓該內(nèi)存出廠就預(yù)設(shè)了高頻率XMP配置，免去了超頻的麻煩，使用起來省心。雖然當(dāng)下處于換代期，在性價比方面DDR5的表現(xiàn)稍差一點，但它畢竟是次世代平臺的標(biāo)配，將是未來的內(nèi)存主流標(biāo)準(zhǔn)。正如當(dāng)年DDR3和DDR4換代期，大家也擔(dān)心DDR4的延遲問題一樣，最后這個擔(dān)心也隨著DDR4頻率的提高性能的增長而打消，如今雖然DDR5內(nèi)存也面臨同樣的困境，但相信隨著平臺換代的加快，這也只是時間問題。再加上從性能上來看，憑借高頻率帶來的更高數(shù)據(jù)帶寬和對延遲的降低，輕松超頻到6400MHz@38-38-38-76時，它的延遲表現(xiàn)已經(jīng)非常接近主流DDR4內(nèi)存，但帶寬卻實現(xiàn)了幾乎翻倍，性能表現(xiàn)非常出眾。所以總體來看，AORUS DDR5 6200 16GB%uD72內(nèi)存套裝這樣的出廠高頻DDR5內(nèi)存搭配超級雕Z690 AORUS MASTER這樣的旗艦主板，是當(dāng)下發(fā)燒玩家一個非常省心的換代搭配。

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