納米制程被拋棄？Intel宣布全新CPU工藝路線圖

重生極品妖孽

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前不久Intel宣布即將舉行一次重要會議，今天凌晨這個會議正式召開，介紹了Intel在芯片工藝及封裝上的進展，其中一個重要內容就是全新的CPU工藝路線圖。而且Intel真的改名了，10nm工藝變成了Intel 7，7nm變成了Intel 4，未來還有Intel 3、Intel 20A。

前不久Intel宣布即將舉行一次重要會議，今天凌晨這個會議正式召開，介紹了Intel在芯片工藝及封裝上的進展，其中一個重要內容就是全新的CPU工藝路線圖。而且Intel真的改名了，10nm工藝變成了Intel 7，7nm變成了Intel 4，未來還有Intel 3、Intel 20A。

01

Intel宣布全新CPU工藝路線圖

Intel是堅定的摩爾定律捍衛者，盡管每代工藝的技術指標是最強的，但在進度上確實已經落后于臺積電、三星，現在量產了10nm工藝，臺積電已經是第二代5nm工藝了，明年還有3nm工藝。

工藝命名上始終落后對手，對Intel來說宣傳很不利，早前網友調侃說Intel應該把10nm改成7nm，畢竟他們的晶體管指標確實達到甚至超過了臺積電7nm的水平，沒想到這個調侃成真，Intel這次真的改名了，但改的方式也有點獨特。

此前的10nm Enhanced SuperFin工藝改為Intel 7——對，沒有7nm字樣，官方就叫做Intel 7，你當7nm也行，但Intel沒明確說是7nm，這次就是改了，但又沒改。

相比Tiger Lkae上的10nm Superfin工藝，Intel 7工藝的每瓦性能提升10-15%（注意Intel介紹性能提升的方式也變了，說的是每瓦性能），首先應用于今年底的Alder Lake，數據中心處理器Sapphire Rapids則會在明年用上Intel 7工藝。

Intel原先的7nm工藝則會改名為Intel 4，這會是Intel首個應用EUV光刻工藝的FinFET工藝，每瓦性能提升20%，2022年下半年開始生產，2023年產品出貨，就是之前的7nm Meteor Lake處理器。

Intel 4工藝之后是Intel 3工藝，是最后一代FinFET工藝，每瓦性能提升18%，2023年下半年開始生產。

再往后Intel也會放棄FinFET晶體管技術，轉向GAA晶體管，新工藝名為Intel 20A，會升級到兩大突破性技術——PowerVia、RibbonFET，前者是Intel獨創的供電技術，后者是GAA晶體管的Intel技術實現，預計2024年問世。

2025年及之后的工藝還在開發中，命名為Intel 18A，會繼續改進RibbonFET工藝，同時會用上ASML下一代的高NA EUV光刻機，量產時間不定。

02

不單單是改名游戲

據悉，英特爾有望率先獲得業界第一臺 High-NA EUV 光刻機。此外，AWS 成為第一個使用英特爾代工服務（IFS）封裝解決方案的客戶，高通也將采用 Intel 20A 制程工藝技術。

“對于未來十年走向超越 1nm 節點的創新，英特爾有著一條清晰的路徑?！庇⑻貭?CEO 帕特?基辛格發表演講時談道，“英特爾的最新命名體系，是基于我們客戶看重的關鍵技術參數而提出的，即性能、功率和面積。”

當然，這次的改革有一點讓網友感覺驚訝的地方，那就是Intel真的如之前網友調侃的段子那樣，上來就玩了一把給工藝改名的游戲——年底的10nm ESF工藝改名為Intel 7，計劃中的7nm改名為Intel 4，未來還會繼續推出Intel 3工藝，這次的改名直接讓Intel跟臺積電站到同一起跑線上了，畢竟臺積電2023年量產的也是3nm工藝，同樣也是最后一代FinFET工藝。

調侃歸調侃，但是Intel這次推出的工藝不僅僅是改名那么簡單，有一件事非常值得關注，那就是Intel要率先從納米時代進入埃米時代（?ngstrom，1納米等于10埃米），這就是Intel預計2024年推出的Intel 20A工藝，其中的A就指的是埃米。

到了埃米時代，20A工藝有兩大革命性新技術，RibbonFET及PowerVia，前者就是類似三星的GAA環繞柵極晶體管，PoerVia則首創取消晶圓前側的供電走線，改用后置供電，也可以優化信號傳輸。

現在20A工藝的具體細節還沒公布，但從字面意義上來看，20A差不多是2nm工藝的水平，倒也符合3nm之后的摩爾定律進步。

如果用一句話解釋Intel的目標，那就是CEO基辛格日前在媒體采訪中的表態—— 在2024年到2025年間，Intel將重返半導體技術領先地位。

03

快速落地的代工服務

隨著英特爾全新 IDM2.0 戰略的實施，封裝對于實現摩爾定律變得更加重要。英特爾宣布，AWS 將成為首個使用英特爾代工服務（IFS）封裝解決方案的客戶。

EMIB 作為首個 2.5D 嵌入式橋接解決方案將繼續引領行業，英特爾自 2017 年以來一直在出貨 EMIB 產品。Sapphire Rapids 將成為采用 EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）批量出貨的首個至強數據中心產品，也將是業界首個提供幾乎與單片設計相同性能的，但整合了兩個光罩尺寸的器件。繼 Sapphire Rapids 之后，下一代 EMIB 的凸點間距將從 55μm 縮短至 45μm。

為了繼續保持在先進封裝領域的領導地位，英特爾正著眼于 2023 年交付 Foveros Omni 和 Foveros Direct 之外的其他未來規劃，將在未來幾代技術中從電子封裝過渡到集成硅光子學的光學封裝。

英特爾將繼續與包括 Leti、IMEC 和 IBM 在內的產業伙伴密切合作，在以上和其他諸多創新領域進一步發展制程和封裝技術。

04

Meteor Lake處理器Q3試產

而在消費市場，2021年對Intel來說異常重要，今年該公司的制程工藝終于走上正軌，現在已經傳來多個喜訊——10nm成本大降45%，產能也超過了14nm，成為新的主力，7nm工藝進展良好，2023年隨著Meteor Lake首發。

Meteor Lake是Intel下下下代酷睿處理器，按照規劃應該是14代酷睿，中間隔著10nm工藝的12代酷睿Alder Lake、13代酷睿Raptor Lake，后兩者使用的是LGA1700插槽，Meteor Lake傳聞是LGA1800插槽。

雖然7nm工藝跟最初宣布的進度相比也延期了至少1年，不過這一次的進展不錯，Meteor Lake處理器今年5月份的時候已經完成芯片的“Tape-in”。Tape-in在Tape-Out（流片）前，大概是IP模塊完成設計驗證階段。

設計完成之后，下一步就要準備流片、驗證了，Intel人員提到Q3季度7nm的Meteor Lake處理器就會在第一條7nm生產線上試產（意味著最晚不過2個月時間），當然這還是很早期的工程樣品，具體情況還沒有什么信息。

7nm工藝會是Intel的一次翻身仗，雖然2023年量產的時候友商已經有5nm、3nm工藝了，但是Intel的7nm工藝晶體管密度達到了1.8億晶體管每平方毫米，技術水平追上臺積電的5nm、三星3nm工藝。

對于Meteor Lake處理器，除了7nm工藝之外，這次還會用上Foveros 3D封裝技術，里面會集成不同工藝的IP核心，這也是Intel首次在主流桌面處理器用上多芯片封裝技術，以前的膠水多核只是簡單的2D封裝，現在是3D封裝多芯片結構了。

(張毅)

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